霍尔开关
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一、原理简介
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势U,其表达式为
U=K·I·B
其中K为霍尔系数,I为薄片中通过的电流,B...
霍尔传感器原理
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半导体薄片置于磁感应强度为 B 的磁场中,磁场方向垂直于薄片,如图所示。当有电流 I 流过薄片时,在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势 EH ,这种现象称为霍尔效应,该电动势称为霍尔电势,上述半导体薄片称为霍尔元件。
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霍尔效应传感器
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霍尔效应传感器也称霍尔传感器,是一个换能器,将变化的磁场转化为输出电压的变化。霍尔传感器首先是用来测磁场的,此外还可以被用来测量产生和影响磁场的物理量[1],例如,被用于接近开关[2],霍尔乘法器,位置测量,转速测量,和电...
霍尔传感器
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霍尔传感器是一种能实现磁电转换的传感器,用它们可以检测磁场及其变化。霍尔传感器具有许多优点,它们的结构牢固,体积小,寿命长,安装方便,功耗小,频率高,耐震动,不怕灰尘、油污及盐雾等的污染或腐蚀。霍尔开关器件具有无触点、输出波形清晰、...
霍尔效应
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霍尔效应(Hall effect)是指当固体导体有电流通过,且放置在一个磁场内,导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边,继而产生电压,除导体外,半导体也能产生霍尔效应,而且半导体的霍尔效应要强于导体。电场力会平衡洛伦兹力。
解释
在导...
霍尔器件
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霍尔器件
Hall element
利用霍尔效应的固态电子器件。E.H.霍尔于1879年发现:一块矩形导体或半导体材料在磁感应强度为Bz的磁场中,在垂直于磁场的方向有电流Ix通过试件(图1),在既垂直于磁场Bz、又垂直于电流...