硅的死区电压（何谓死区电压?硅管和锗管死区电压的典型值各为多少?）
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常温下硅管在死区电压是多少?导通电压降约为多少?
1、一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。
2、硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
3、硅二极管的死区电压约为 0.6伏，正向导通压降约为0.7 伏。
硅管的死区电压是多少
硅的死区电压是0.5V，导通电压分别是0.6V，死区电压也叫开启电压，是应用在不同场合的两个名称。在二极管正负极间加电压，当电压大于一定的范围时二极管开始导通，这个电压叫开启电压。锗管0.1左右，硅管0.5左右。
硅管的死区电压约为0.7V。硅管（也称为硅二极管）是一种常见的半导体器件。它通常具有一个正向工作区和一个反向截止区。当硅管处于反向偏置时，需要达到一定的电压才能使其进入截止状态，此电压被称为死区电压。
硅管的死区电压为0.5V，这是指三极管基极到发射极的正向电压，即Ube，如下图的输入特性曲线所示。三极管的导通是靠Ube的大小来控制的，从0V逐渐增加到0.5V，三极管一直处于截止状态，所以称0.5Ⅴ为死区电压。
一般大略估算是按照锗管0.12~0.2V，硅管0.5~0.7V。但是实际二极管并不理想，不是按照某一个电压分解导通与否，而是一个随着电压增加逐渐导通的指数曲线。
二极管的伏安特性
1、二极管的伏安特性是什么的答案是：正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线。
2、二极管的伏安特性是正向特性。二极管伏安特性曲线的第一象限称为正向特性，它表示外加正向电压时二极管的工作情况。在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，正向电流几乎为零，这一区域称为正向二极管的伏安特性曲线。死区，对应的电压称为死区电压。
3、二极管的伏安特性存在4个区：死区电压、正向导通区、反向截止区、反向击穿区。
4、二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。晶体二极管性能参数 最大整流电流Idm：二极管连续工作允许通过的最大正向电流；电流过大，二极管会因过热烧毁；大电流整流可加装散热片。
5、二极管的伏安特性说明：在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大。两者的伏安特性分类不同：电阻器的伏安特性分类：对大多数导体来说，在一定的温度下，其电阻几乎维持不变而为一定值，这类电阻称为线性电阻。
硅管的死区电压为0.5V,正向压降为0.6~0.8V,我很好奇电压怎么能比压降低...
1、再继续增到0.6V，三极管开始导通，而导通后，Ube即为正向压降为0.6~0.8V，通常为0.7V。所以，死区电压肯定是小于正常导通电压啦。这有什么好奇的，是电压由小到大的变化过程吗，很正常吗。
