门限电压（门限电压理解）
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反向双门限电压比较器的上门限电压和下门限电压分别是
上门限电压为5v-5v之间等。反向双门限电压比较器的上门限电压为5v-5v之间，下门限电压为0.8V-5V之间。反向双门限电压比较器的上门限电压被称为触发电压，是触发时触发电路发生变化的电压等级。
上门限电压：U上=R2/（R1+R2）*Ui+R1/（R1+R2）*比较器正电压。双电压比较器的工作电源电压范围宽，单电源、双电源均可工作，单电源：2~36V。
运放加负反馈是放大器，不加反馈是单门限比较器，加正反馈是双门限比较器，又叫回差比较器。两个门限可以分别计算如下：上面一个比较门限电压是输出的高电平经过100k/1k分压值；下面一个比较门限电压是输出的低电平经过100k/1k的分压值。
什么是电压门限电路?
而Vi=-3V时，V+=0V（串联电阻R1=R2=10千欧）；Vi-3V时，V+0V；Vi-3V时，V+0V。因此，门限电压VT为-3V。整个电路的传输特性曲线如下图所示。
门限电路就是与一个或多个门限电压相比较的电路，供比较的基准电平就称为门限电平，如史密斯触发器就有上，下限的两个门限电平。门限电路提供电压比较，选择适合的电压通过，在一定范围内的选择性电路。是将信号转变为单片机能够处理识别这个信号的一个逻辑电路。
可以这样理解，即是将信号转变为单片机能够处理识别这个信号的一个逻辑电路，因为不知道这里说的正弦波的幅度范围是多少，即要将这个信号转换到0和5v。
门限电压的介绍
1、门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层（氧化物）和基体（身体）之间的接口晶体管。在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。当正面电压是应用的在门， 电场造成孔从接口被排斥，创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接收器离子。
2、门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层（氧化物）和基体（身体）之间的接口晶体管。
3、我们将比较器的输出电压从一个电平跳变到另一个电平时对应的输入电压的值，被称为门限电压。或阈值电压，简称为：阈值，用符号UTH表示。
4、而Vi=-3V时，V+=0V（串联电阻R1=R2=10千欧）；Vi-3V时，V+0V；Vi-3V时，V+0V。因此，门限电压VT为-3V。整个电路的传输特性曲线如下图所示。
什么是门限电压
1、门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层（氧化物）和基体（身体）之间的接口晶体管。在nMOSFET晶体管的基体由p类型硅组成，正面地充电流动孔作为载体。当正面电压是应用的在门， 电场造成孔从接口被排斥，创造a 势垒区包含固定消极地被充电的接收器离子。
2、我们将比较器的输出电压从一个电平跳变到另一个电平时对应的输入电压的值，被称为门限电压。或阈值电压，简称为：阈值，用符号UTH表示。
3、门限电压通常被定义作为门电压，是指逆温层形成在绝缘层（氧化物）和基体（身体）之间的接口晶体管。
4、门限电压，即分界电压，大于这个门限电压的值逻辑为1，小于这个门限电压的逻辑为0。门限电压设置过高或者过低都会导致数据失真，设置过高，逻辑1的宽度变窄；设置过低，逻辑0变窄。
5、二极管对这个“正向电压”是有要求的，就是要能“正”到它能导通的程度它才导通，低于它的导通电压值它也不导通，这个能让它导通的电压就叫门限电压，对于硅管是0.7V，锗管是0.2V。就是硅二极管的正向电压高于0.7V它才导通，锗管高于0.2V时导通。
6、门限电压设置过高或过低都将导致数据失真，如下图图2所示。门限设置过高，逻辑1的宽度变窄；设置过低，逻辑0变窄，一般门限电压取被测信号电平范围的一半。就拿我常用到的LA1000、LA2000、LAB6000和LAB7000系列逻辑分析仪门限电压均可调（直接选择或手动输入，精度0.01V），但可调范围与具体型号有关。
